【簡(jiǎn)介:】1、導(dǎo)入的無(wú)法修改。
2、通過(guò)transform進(jìn)行copy的模型也是不支持對(duì)復(fù)制體的修改。以上兩點(diǎn)造成cst復(fù)制的模型無(wú)法修改參數(shù)。
cst設(shè)計(jì)模板中周期性結(jié)構(gòu)有幾種
cst設(shè)計(jì)模板中
1、導(dǎo)入的無(wú)法修改。
2、通過(guò)transform進(jìn)行copy的模型也是不支持對(duì)復(fù)制體的修改。以上兩點(diǎn)造成cst復(fù)制的模型無(wú)法修改參數(shù)。
cst設(shè)計(jì)模板中周期性結(jié)構(gòu)有幾種
cst設(shè)計(jì)模板中周期性結(jié)構(gòu)有立方、四方、三方、六方、正交、單斜、三斜共7個(gè)晶系。
這類(lèi)擴(kuò)散的特點(diǎn)是:在整個(gè)擴(kuò)散過(guò)程中,硅片內(nèi)的雜質(zhì)總量保持不變,沒(méi)有外來(lái)雜質(zhì)補(bǔ)充,只依靠擴(kuò)散前在硅片表面上已淀積的那一薄層內(nèi)有限數(shù)量的雜質(zhì)原子,向硅片體內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)散。
就可以無(wú)間隙亦無(wú)交疊地鋪滿平面并具有L5的對(duì)稱(chēng)(圖10.2A)。在此,圖中各菱形頂點(diǎn)的分布看似雜亂無(wú)章,但若以圖中呈五次對(duì)稱(chēng)取向的5條菱形邊作為基矢ei(i=1,2,3,4,5)。
分子動(dòng)力學(xué)模擬中的周期性邊界條件:
分子動(dòng)力學(xué)模擬中周期性邊界條件的引入,主要有兩個(gè)目的:在粒子的運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,若有一個(gè)或幾個(gè)粒子跑出模型,則必有一個(gè)或幾個(gè)粒子從相反的界面回到模型中,從而保證該模擬系統(tǒng)的粒子數(shù)恒定。
計(jì)算原子間作用力的時(shí)候采取最近鏡像方法,這樣模型中處于邊界處的原子受力就比較全面,從而消除了邊界效應(yīng)。這種方法在計(jì)算機(jī)分子動(dòng)力學(xué)模擬中使用非常廣泛。
cst三維模型怎么插入s參數(shù)文件端口?
只說(shuō)一下hfss吧,菜單欄hfss--result---solution data 或者直接點(diǎn)擊工具欄里的如下圖標(biāo)
彈出如下對(duì)話框
一般默認(rèn)勾選S Matrix(s矩陣),1處選格式,幅度/相位或者實(shí)部/虛部,
點(diǎn)2處導(dǎo)出矩陣,可以選擇格式比如tab之類(lèi)。